Silīcija vafele

• 2 collu silīcija vafele (50,8 mm)

  Thk.(μm):280 ± 25 vai atbilstoši mūsu klientu prasībām
  Pretestība: lielāka vai vienāda ar 0.001ohm.cm
  Virsma: priekšpuse pulēta, aizmugurē iegravēta (SSP) vai dubultā puse pulēta (DSP).
  

  Vairāk
• 3 collu silīcija vafele (76,2 mm)

  Orientācija:<111>/<100>/<110>
  Thk.(μm):280 ± 25 vai atbilstoši mūsu klientu prasībām
  Pretestība: lielāka vai vienāda ar 0.001ohm.cm

  Vairāk
• 4 collu silīcija vafele (100 mm)

  Atzīme: pirmā/pārbaudes pakāpe/ pārbaudes atzīme
  Izaugsme: CZ/FZ
  Virsma: Apdare Priekšpuse pulēta, aizmugure iegravēta./Abpuse pulēta

  Vairāk
• 5 collu silīcija vafele (125 mm)

  Diametrs: 125 mm
  P tips un N tips, orientācija:<110>/<111>/<100>
  Izturība: pamatojoties uz mūsu klientu prasībām.
  

  Vairāk
• 6 collu silīcija vafele (150 mm)

  Daļiņas:( lielāka vai vienāda ar 0.2um): Max 20ea
  TTV: mazāks vai vienāds ar 5 um
  BOW & WARP: mazāks vai vienāds ar 30 um
  

  Vairāk
• 8 collu silīcija vafele (200 mm)

  Virsmu var pulēt no vienas vai abām pusēm, vai arī to var atstāt kā stieples šķēli. 725 μm biezumā vai kā jūs norādāt.
  Virsmas daļiņu kontrole vienmēr ir rūpnīcas standarts.

  Vairāk
• 12 collu silīcija vafele (300 mm)

  Galvenā atzīme vai pārbaudes atzīme vai manekena atzīme.
  Pulēta no vienas puses vai abpusēji pulēta vai virsma tāpat kā stieples šķēle. Biezums 825μm vai pēc jūsu pieprasījuma.

  Vairāk
• 76 mm-300 mm, pārklāta silīcija plāksne (3 collas -12")

  Augšdaļas sākotnējā stieņa pretestība varēja būt 1,5 reizes lielāka nekā astes pretestība. Var vēlēties vieglo vai smago dopingu.

  Vairāk
• 150 mm/200 mm/300 mm monētu rullīša silīcija vafele

  Silīcija vafeles, kas pazīstamas kā monētu rullīša vafeles, ir saliktas tādā veidā, kā monētas ruļļos. Parasti tie tiek piegādāti 50–200 gabalu daudzumos putupolistirola konteineros. Vafeles nav...

  Vairāk
• 76 mm-300 mm iegravēta silīcija plāksne (3 collas -12")

  Silīcija vafelei uzklājot siltumu un oksidējošas ķīmiskas vielas, tiek izveidots silīcija dioksīda (SiO2) slānis. Šis process ir pazīstams kā termiskā oksidēšana.

  Vairāk
• Maza izmēra epitaksiālā vafele

  Četru collu, piecu collu un sešu collu epitaksiālās plāksnes ir maza izmēra epitaksiālo plāksnīšu piemēri.

  Vairāk
• 8 collu un 12 collu epitaksiālā plāksne

  Izmantojiet tvaika fāzes epitaksijas nogulsnēšanas paņēmienu, lai uz substrāta izveidotu kristālus, pēc tam sakārtotu tos uz apakšējās substrāta kristāla virsmas.

  Vairāk